DRAM芯片结构
DRAM（动态随机存取存储器）芯片的基本结构包括以下几个关键部分：
1. 存储单元 ：
每个存储单元由一个电容和一个晶体管组成。
电容用于存储数据，晶体管用作开关控制数据的读写。
2. 地址线 ：
地址线用于选择要读写的存储单元。
在传统DRAM中，地址线分成两组以减少输入引脚数量，提高封装效率。
3. 数据线 ：
数据线用于传输数据。
4. 控制线 ：
控制线包括/RAS（行地址脉冲选通器）、/CAS（列地址脉冲选通器）等，用于控制读写操作。
5. 行和列选择器 ：
行地址解码器负责激活与给定行地址对应的字线。
列选择器用于从给定的列地址中选择正确的列。
6. 刷新控制器 ：
负责定期刷新存储单元中的数据，防止数据丢失。
7. Bank ：
一个二维存储矩阵，包含行和列，是DRAM的基本存储单位。
8. 3D DRAM结构 （如果适用）：
3D DRAM通过垂直堆叠多个存储层来增加存储密度。
9. HBM（高带宽内存） （如果适用）：
HBM采用3D堆叠技术，通过硅通孔（TSV）连接多个DRAM芯片，提供更高的带宽和性能。
DRAM的工作原理是通过给存储单元的电容充电或放电来表示存储的数据。读取数据时，控制线发送读取命令，DRAM根据地址线选择存储单元，并通过数据线将数据传输到外部。
其他小伙伴的相似问题：
DRAM芯片与SRAM芯片有何区别？
国内DRAM芯片市场现状如何？
DRAM芯片的读写速度为何低于SRAM？
